IRFS3607TRLPBF - Infineon Technologies

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-IRFS3607TRLPBF
Hersteller Teil #: IRFS3607TRLPBF
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Factory Lead Time  
12 Weeks
Mount  
Surface Mount
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Number of Pins  
3
Transistor Element Material  
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
80A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
10V
Number of Elements  
1
Power Dissipation (Max)  
140W Tc
Turn Off Delay Time  
43 ns
Operating Temperature  
-55°C~175°C TJ
Packaging  
Tape & Reel (TR)
Series  
HEXFET®
Published  
2012
JESD-609 Code  
e3
Part Status  
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
2
ECCN Code  
EAR99
Terminal Finish  
Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Terminal Form  
GULL WING
Peak Reflow Temperature (Cel)  
260
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
30
JESD-30 Code  
R-PSSO-G2
Qualification Status  
Not Qualified
Element Configuration  
Single
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
140W
Case Connection  
DRAIN
Turn On Delay Time  
16 ns
FET Type  
N-Channel
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
9m Ω @ 46A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id  
4V @ 100μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
3070pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
84nC @ 10V
Rise Time  
110ns
Vgs (Max)  
±20V
Fall Time (Typ)  
96 ns
Continuous Drain Current (ID)  
80A
Gate to Source Voltage (Vgs)  
20V
Drain-source On Resistance-Max  
0.009Ohm
Drain to Source Breakdown Voltage  
75V
Height  
4.826mm
Length  
10.668mm
Width  
9.65mm
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Lead Free
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Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
IRFS3607TRLPBF TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
AUIRFS3607 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
IRFS3607PBF TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 75V; RDS(ON) 7.34 Milliohms; ID 80A; D2Pak; PD 140W; VGS /-2
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Häufig gestellte Fragen

What is br> Improved Gate, Avalanche and Dynamic?

dv/dt Ruggedness

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
Lagerbestand: 10000 Kann sofort geliefert werden
Stückpreis: 1.95483
Menge. Stückpreis
1+: $1.95483
10+: $1.84418
100+: $1.73979
500+: $1.64131
1000+: $1.54841
Zwischensumme: $1.95483

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